چکیده

در این مقاله، عملکرد ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز دو گیتی (DG-MOSFET) در آلایش های گوناگون کانال بررسی و تحلیل شده است. مشخصه های الکتریکی مهم در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال، مانند ولتاژ آستانه، جریان خاموشی و جریان حالت روشن به ازای آلایش کانال متغیر از 1*10^16 cm^-3 تا 2*10^13 cm^-3 مقایسه شده اند. بایاس درین از mV 10 تا V 1 افزایش داده شده، تا تأثیر DIBL در آلایش کانال گوناگون بررسی گردد. افزون بر این، با توجه به اهمیت کلیدی نسبت Ion/Ioff در عملکرد دیجیتال افزاره، تأثیر آلایش کانال بر این مشخصه نیز بررسی شده است. در پایان، انتخاب مقدار بهینه ی آلایش کانال با توجه به رابطه های جایگزینی بین توانایی سوییچینگ، جریان حالت روشن، نیاز به توان و اثرات کانال کوتاه مانند DIBL و جریان خاموشی، بحث و بررسی شده اند. استخراج مشخصه ها در این مقاله با استفاده از ابزار شبیه ساز ATLASTM انجام شده است.

کليدواژه ها

: اثرات کانال کوتاه، تغییرات آلایش کانال، جریان خاموشی، کاهش سد القا شده ی درین (DIBL)، ماسفت دو گیتی (DG-MOSFET).

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
سید حسین علوی راد , 1400 , تحلیل TCAD از تغییرات آلایش کانال بر مشخصه های الکتریکی ماسفت دو گیتی در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال , بیستمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران